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Modification de l'Arrêté du 2 février 2024
A modifié les dispositions suivantes : > - Arrêté du 2 février 2024 > > Art. null > >
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2E901 “Technologie”, au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement » ou la « production » d'équipements visés à l'alinéa 2B910.
2E903.g “Technologie”, au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement » ou la « production » de ‘systèmes de revêtement' ayant toutes les caractéristiques suivantes :
a. Conçu pour protéger de la corrosion les matériaux « composites » à « matrice » céramique spécifiés à l'alinéa 1C9007 l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage » ; et
b. Conçus pour fonctionner à des températures supérieures à 1 373,15 K (1 100 °C).
Note technique :
Aux fins de l'alinéa 2E903.g, les ‘systèmes de revêtement' consistent en une ou plusieurs couches (par exemple couche de liaison, couche intermédiaire, couche de finition) du matériau déposé sur le substrat.
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3A901.a Circuits intégrés d'usage général, comme suit :
Note. - Les circuits intégrés comprennent les types suivants :
- “circuits intégrés monolithiques” ;
- “circuits intégrés hybrides” ;
- “circuits intégrés à multipuces” ;
- “circuits intégrés à film”, y compris les circuits intégrés silicium sur saphir ;
- “circuits intégrés optiques” ;
- “circuits intégrés tridimensionnels” ;
- “circuits intégrés monolithiques hyperfréquences” (“MMIC”).
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3A901.a.15. Circuits intégrés en semi-conducteurs à oxyde métallique complémentaire (CMOS), non visés à l'alinéa 3A001.a.2 du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », conçus pour fonctionner à une température ambiante égale ou inférieure à (meilleure que) 4,5 K (- 268,65 °C).
Note technique :
Aux fins de l'alinéa 3A901.a.15, les circuits intégrés CMOS sont aussi connus sous les noms de CMOS cryogénique ou cryoCMOS.
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3A901.a.16. Circuits intégrés présentant une vitesse cumulée de transfert bidirectionnel supérieure à 600 Goctet/s sur toutes les entrées et sorties et vers ou depuis d'autres circuits intégrés, à l'exclusion des mémoires volatiles, et présentant ou pouvant être programmés pour présenter l'une des caractéristiques suivantes :
a. Une ou plusieurs unités de traitement numérique exécutant des instructions machine ayant une ‘performance de traitement totale' égale ou supérieure à 6 000 ;
b. Une ou plusieurs ‘unités de calcul primitives' numériques, à l'exclusion des unités contribuant à l'exécution des instructions tel que spécifié au paragraphe 3A901.a.16.a., ayant une ‘performance de traitement totale' égale ou supérieure à 6 000 ;
c. Une ou plusieurs ‘unités de calcul primitives' analogiques ayant une ‘performance de traitement totale' égale ou supérieure à 6 000 ; ou
d. Toute combinaison d'unités de traitement numérique et d'‘unités de calcul primitives' sur un circuit intégré dont la somme des ‘performance de traitement totale' de 3A901.a.16.a., 3A901.a.16.b., et 3A901.a.16.c. est égale ou supérieure à 6 000.
Note. - Les circuits intégrés spécifiés à l'alinéa 3A901.a.16. comprennent les unités de processeurs graphiques (GPU), les unités de traitement de tenseur (TPU), les processeurs neuronaux, les processeurs de traitement en mémoire, les processeurs de vision, les processeurs de texte, les co-processeurs/accélérateurs, les processeurs adaptatifs, les dispositifs logiques programmables par l'utilisateur (FPLD), et les circuits intégrés pour application spécifique (ASIC).
Nota. - Pour les “calculateurs numériques” et “ensembles électroniques” contenant des circuits intégrés spécifiés à l'alinéa 3A901.a.16., voir 4A907.
Notes techniques :
Aux fins de l'alinéa 3A901.a.16 :
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3A901.b.13. Amplificateurs de signaux paramétriques présentant toutes les caractéristiques suivantes :
a. Etant conçus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 1 K (- 272,15 °C) ;
b. Etant conçus pour fonctionner à toutes les fréquences comprises entre 2 GHz et 15 GHz inclus ; et
c. Ayant un facteur de bruit inférieur à (meilleur que) 0,015 dB à toute fréquence comprise entre 2 GHz et 15 GHz inclus à 1 K (- 272,15 °C).
Note. - Les amplificateurs de signaux paramétriques comprennent les amplificateurs paramétriques à ondes progressives (TWPAs).
Note technique :
Aux fins de l'alinéa 3A901.b.13, les amplificateurs de signaux paramétriques sont également connus sous le nom d'amplificateurs à la limite quantique (QLAs).
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3A904. Systèmes et composants de refroidissement cryogénique, comme suit :
a. Systèmes conçus pour fournir une puissance de refroidissement supérieure ou égale à 600 μW à une température égale ou inférieure à 0,1 K (- 273,05 °C) durant plus de 48 heures ;
b. Cryoréfrigérateurs à tube pulsé à deux étages conçus pour maintenir une température inférieure à 4 K (- 269,15 °C) et fournir une puissance de refroidissement supérieure ou égale à 1,5 W à une température de 4,2 K (- 268,95 °C) ou inférieure.
3B901.k. Equipements conçus pour la gravure sèche ayant toutes les caractéristiques suivantes :
a. Ayant une source d'énergie radiofréquence présentant au moins une sortie radiofréquence pulsée ;
b. Ayant une ou plusieurs vannes à commutation de gaz rapides ayant un temps de commutation de moins de 300 millisecondes ; et
c. Ayant un mandrin électrostatique comportant au moins vingt éléments à température variable contrôlables.
Note 1. - L'alinéa 3B901.k comprend la gravure par ‘radicaux', ions, réactions séquentielles ou non séquentielles.
Note 2. - L'alinéa 3B901.k.2 comprend la gravure à l'aide de plasma excité par impulsions RF, de plasma excité par cycle pulsé, de plasma modifié avec tension pulsée sur les électrodes, d'injection et purge cyclique de gaz combinés avec un plasma, de gravure de couche atomique sur plasma ou de gravure de couche quasi-atomique sur plasma.
Notes techniques :
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3B901.l. Masques et réticules pour la lithographie par ‘rayonnement ultraviolet extrême' (‘EUV'), conçus pour les circuits intégrés, non visés au paragraphe 3B001.g de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », et comportant un masque de « substrat brut » spécifié par l'alinéa 3B001.j de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage ».
Notes techniques :
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3B903. Microscopes électroniques à balayage (MEB) conçus pour l'imagerie de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés, présentant toutes les caractéristiques suivantes :
a. Ayant une précision de placement inférieure à (meilleure que) 30 nm ;
b. Effectuant la mesure du positionnement de la scène par interférométrie laser ;
c. Opérant l'étalonnage de la position dans un champ de vision (FOV) basé sur la mesure de l'échelle de longueur de l'interféromètre laser ;
d. Collectant et stockant des images ayant plus de 2 × 108 pixels ;
e. Disposant d'un chevauchement de FOV inférieur à 5 % dans les directions verticales et horizontales ;
f. Disposant d'un chevauchement de FOV inférieur à 50 nm ; et
g. Ayant une tension d'accélération supérieure à 21 kV.
Note 1. - L'alinéa 3B903 inclut les équipements MEB conçus pour la rétroconception de circuits électroniques.
Note 2. - L'alinéa 3B903 ne vise pas les équipements MEB conçus pour accueillir un support de plaquette respectant la norme SEMI, tel qu'un pod unifié à ouverture frontale (FOUP) de 200 mm ou plus.
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3B904. Equipements de tests cryogéniques de plaquettes, présentant toutes les caractéristiques suivantes :
a. Conçus pour tester des dispositifs à des températures inférieures ou égales à 4.5 K (- 268.65 °C) ; et
b. Conçus pour accueillir des diamètres de plaquettes supérieurs ou égaux à 100 mm.
3C907. Matériaux épitaxiés constitués d'un « substrat » comportant au moins une couche épitaxiée de l'un des matériaux suivants :
a. Silicium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30 ; ou
b. Germanium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de germanium autres que le germanium-70, germanium-72, germanium-74, ou germanium-76.
3C908. Fluorures, hydrures ou chlorures, de silicium ou de germanium, contenant l'un des éléments suivants :
a. Silicium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30 ; ou
b. Germanium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de germanium autres que le germanium-70, germanium-72, germanium-74, ou germanium-76.
3C909. Silicium, oxydes de silicium, germanium ou oxydes de germanium, contenant l'un des éléments suivants :
a. Silicium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de silicium autres que le silicium-28 ou le silicium-30 ; ou
b. Germanium ayant une impureté isotopique inférieure à 0.08 % d'isotopes de germanium autres que le germanium-70, germanium-72, germanium-74, ou germanium-76.
Note. - L'alinéa 3C909 inclut les « substrats », grumeaux, lingots, boules et préformes.
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3D902. “Logiciels” spécialement conçus pour “l'utilisation” des équipements visés à l'alinéa 3B901.k.
3D907. « Logiciels » conçus pour extraire des données GDSII ou données de configuration standard équivalentes et effectuer un alignement de couche à couche à partir d'images de microscope électronique à balayage (MEB), et générer des données GDSII multicouches ou une liste d'interconnexions de circuits.
Note. - Le format ‘GDSII' (‘Geometrical Database Standard II') est un format de fichier de base de données utilisé pour l'échange de données de circuits intégrés ou d'illustrations de circuits intégrés.
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3E. Technologies.
Note. - les paragraphes 3E901 et 3E905 ne visent pas les ‘kits de conception et de simulation de modèles' (‘PDK'), sauf s'ils comprennent des bibliothèques exécutant des fonctions ou des technologies destinées aux biens visés au paragraphe 3A001 de l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage » ou au paragraphe 3A901 de la présente annexe.
Note technique :
Un ‘kit de conception et de simulation de modèles' (‘PDK') est un outil logiciel fourni par un fabricant de semi-conducteurs afin de faire en sorte que les règles et pratiques de conception nécessaires soient prises en compte pour produire un type particulier de circuit intégré dans un processus spécifique lié à un semi-conducteur, dans le respect des contraintes technologiques et de fabrication (chaque processus de fabrication de semi-conducteurs a son propre ‘PDK').
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3E901. “Technologie”, au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement » ou la « production » des équipements ou matériaux visés dans les alinéas précédents (alinéas dont la mention commence par 3A, 3B ou 3C dans la présente annexe).
3E905. “Technologie”, au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement » ou la « production » de circuits intégrés et dispositifs utilisant des structures de « transistors à effet de champ à grille enrobante » (« GAAFET »).
Note 1. - L'alinéa 3E905 inclut les ‘recettes de procédés'.
Note 2. - L'alinéa 3E905 ne s'applique pas à la qualification ou à la maintenance des outils.
Note technique :
Aux fins de l'alinéa 3E905, une ‘recette de procédé' est un ensemble de conditions et de paramètres destinés à une étape particulière d'un procédé.
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4A906. Ordinateurs quantiques, « ensembles électroniques » et composants qui leur sont destinés, comme suit :
a. Ordinateurs quantiques, comme suit :
Notes :
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4A907. Calculateurs, « ensembles électroniques » et composants contenant un ou plusieurs circuits intégrés décrits à l'alinéa 3A901.a.16.
Note technique :
Aux fins de l'alinéa 4A907, les calculateurs comprennent les « calculateurs numériques », les calculateurs hybrides et les calculateurs analogiques.
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4D901.b.3 « Logiciels » spécialement conçus ou modifiés pour le « développement » ou la« production » des articles spécifiés aux alinéas 4A906.b ou 4A906.c.
4E901.a « Technologie », au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement », la « production » ou « l'utilisation » des articles spécifiés aux alinéas 4A907 et 4D901.b.3.
4E901.b.3 “Technologie”, au sens de la note générale relative à la technologie figurant dans l'annexe I du « règlement européen de contrôle des exportations des biens à double usage », pour le « développement » ou la « production » des articles spécifiés aux alinéas 4A906.b ou 4A906.c.
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