3B903. Microscopes électroniques à balayage (MEB) conçus pour l'imagerie de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés, présentant toutes les caractéristiques suivantes :

a. Ayant une précision de placement inférieure à (meilleure que) 30 nm ;
b. Effectuant la mesure du positionnement de la scène par interférométrie laser ;
c. Opérant l'étalonnage de la position dans un champ de vision (FOV) basé sur la mesure de l'échelle de longueur de l'interféromètre laser ;
d. Collectant et stockant des images ayant plus de 2 × 108 pixels ;
e. Disposant d'un chevauchement de FOV inférieur à 5 % dans les directions verticales et horizontales ;
f. Disposant d'un chevauchement de FOV inférieur à 50 nm ; et
g. Ayant une tension d'accélération supérieure à 21 kV.

Note 1. - L'alinéa 3B903 inclut les équipements MEB conçus pour la rétroconception de circuits électroniques.
Note 2. - L'alinéa 3B903 ne vise pas les équipements MEB conçus pour accueillir un support de plaquette respectant la norme SEMI, tel qu'un pod unifié à ouverture frontale (FOUP) de 200 mm ou plus.